638nm光栅外腔窄线宽半导体激光器

本文采用反射式全息光栅作为外部反馈元件，设计了638 nm光栅外腔窄线宽激光器。使用高分辨率的光谱分析仪检测了Littrow结构的外腔半导体激光器的输出光谱，并进一步研究了该激光器的阈值和波长调谐特性。实验采用了2400 l/mm和1800 l/mm两种刻线密度的反射式全息光栅进行研究，在120 mA的注入电流下，采用刻线密度为2400 l/mm的光栅外腔激光器的输出功率是45.2 mW，将阈值电流由60 mA降至51 mA，下降幅度为11%；采用刻线密度为1800 l/mm的光栅外腔激光器的输出功率是38.7 mW，将阈值电流由60 mA降至47 mA，下降幅度为24%，光谱线宽均压窄至3.5 pm，且分别了实现了9.4 nm和10.5 nm宽度的波长调谐。实验结果表明，采用反射式全息光栅的Littrow结构用于半导体激光器，极大地改善了半导体激光器的性能。